Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2012, том 42, номер 8, страницы 693–695 (Mi qe14820)  

Эта публикация цитируется в 17 научных статьях (всего в 17 статьях)

Воздействие лазерного излучения на вещество. Лазерная плазма

Лазерно-индуцированное осаждение меди из водных растворов, не содержащих восстановителей

В. А. Кочемировскийa, Л. Г. Менчиковb, И. И. Тумкинa, Л. С. Логуновa, С. В. Сафоновa

a Институт химии Санкт-Петербургского государственного университета
b Институт органической химии им. Н.Д. Зелинского Российской академии наук
Список литературы:
Аннотация: Методом лазерно-индуцированного осаждения меди из раствора, в котором отсутствует традиционный компонент — восстановитель, впервые получены проводящие дорожки на диэлектрической поверхности, обладающей восстановительной способностью. Показано, что фенолформальдегидное связующее диэлектрика (стеклотекстолит) может успешно играть роль восстановителя в этом процессе. Полученные медные осадки имеют низкое электрическое сопротивление и хорошую топологию.
Ключевые слова: лазерно-индуцированное осаждение, медь, раствор, стеклотекстолит, топология, проводимость.
Поступила в редакцию: 19.01.2012
Исправленный вариант: 12.04.2012
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2012, Volume 42, Issue 8, Pages 693–695
DOI: https://doi.org/10.1070/QE2012v042n08ABEH014820
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 81.15.Fg


Образец цитирования: В. А. Кочемировский, Л. Г. Менчиков, И. И. Тумкин, Л. С. Логунов, С. В. Сафонов, “Лазерно-индуцированное осаждение меди из водных растворов, не содержащих восстановителей”, Квантовая электроника, 42:8 (2012), 693–695 [Quantum Electron., 42:8 (2012), 693–695]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe14820
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v42/i8/p693
  • Эта публикация цитируется в следующих 17 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:299
    PDF полного текста:135
    Список литературы:43
    Первая страница:3
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024