|
Квантовая электроника, 2012, том 42, номер 5, страницы 432–436
(Mi qe14804)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 17 научных статьях (всего в 17 статьях)
Лазеры
Высокоэффективные лазер и усилитель на основе легированных оксидом эрбия световодов с накачкой в оболочку
Л. В. Котовa, М. Е. Лихачевa, М. М. Бубновa, О. И. Медведковa, Д. С. Липатовb, Н. Н. Вечкановb, А. Н. Гурьяновb a Научный центр волоконной оптики РАН, г. Москва
b Институт химии высокочистых веществ РАН им. Г. Г. Девятых, г. Нижний Новгород
Аннотация:
Разработаны схемы лазера и усилителя на основе эрбиевых световодов с накачкой в оболочку. Оптимизация конструкции световода позволила достичь рекордной дифференциальной эффективности преобразования излучения накачки (λ = 976 мм) в лазерный сигнал, равной 40 % относительно поглощенной мощности накачки, и выходной мощности 7.5 Вт. Продемонстрирована эффективная работа эрбиевого усилителя с максимальной эффективностью 32%.
Ключевые слова:
эрбиевый волоконный световод, накачка в оболочку, дифференциальная эффективность.
Поступила в редакцию: 20.12.2011 Исправленный вариант: 20.03.2012
Образец цитирования:
Л. В. Котов, М. Е. Лихачев, М. М. Бубнов, О. И. Медведков, Д. С. Липатов, Н. Н. Вечканов, А. Н. Гурьянов, “Высокоэффективные лазер и усилитель на основе легированных оксидом эрбия световодов с накачкой в оболочку”, Квантовая электроника, 42:5 (2012), 432–436 [Quantum Electron., 42:5 (2012), 432–436]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe14804 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v42/i5/p432
|
|