Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2012, том 42, номер 5, страницы 432–436 (Mi qe14804)  

Эта публикация цитируется в 17 научных статьях (всего в 17 статьях)

Лазеры

Высокоэффективные лазер и усилитель на основе легированных оксидом эрбия световодов с накачкой в оболочку

Л. В. Котовa, М. Е. Лихачевa, М. М. Бубновa, О. И. Медведковa, Д. С. Липатовb, Н. Н. Вечкановb, А. Н. Гурьяновb

a Научный центр волоконной оптики РАН, г. Москва
b Институт химии высокочистых веществ РАН им. Г. Г. Девятых, г. Нижний Новгород
Список литературы:
Аннотация: Разработаны схемы лазера и усилителя на основе эрбиевых световодов с накачкой в оболочку. Оптимизация конструкции световода позволила достичь рекордной дифференциальной эффективности преобразования излучения накачки (λ = 976 мм) в лазерный сигнал, равной 40 % относительно поглощенной мощности накачки, и выходной мощности 7.5 Вт. Продемонстрирована эффективная работа эрбиевого усилителя с максимальной эффективностью 32%.
Ключевые слова: эрбиевый волоконный световод, накачка в оболочку, дифференциальная эффективность.
Поступила в редакцию: 20.12.2011
Исправленный вариант: 20.03.2012
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2012, Volume 42, Issue 5, Pages 432–436
DOI: https://doi.org/10.1070/QE2012v042n05ABEH014804
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 42.55.Wd, 42.60.By, 42.81.Bm


Образец цитирования: Л. В. Котов, М. Е. Лихачев, М. М. Бубнов, О. И. Медведков, Д. С. Липатов, Н. Н. Вечканов, А. Н. Гурьянов, “Высокоэффективные лазер и усилитель на основе легированных оксидом эрбия световодов с накачкой в оболочку”, Квантовая электроника, 42:5 (2012), 432–436 [Quantum Electron., 42:5 (2012), 432–436]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe14804
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v42/i5/p432
  • Эта публикация цитируется в следующих 17 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:335
    PDF полного текста:154
    Список литературы:50
    Первая страница:1
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024