Абсолютное измерение частот эмиссионных переходов молекулярного иода в области 982 — 985 нм

Сообщаются результаты высокоточных измерений частот отдельных компонент сверхтонкой структуры (СТС) эмиссионных переходов системы В — Х молекул ¹²⁷I₂ в области 982 — 985 нм. Для разрешения СТС эмиссионных линий использовался метод трехуровневой лазерной спектроскопии. Возбуждающим излучением служила вторая гармоника непрерывного Nd : YAG-лазера, а зондирующее излучение в диапазоне 968 — 998 нм генерировалось диодным лазером с внешним резонатором. Частота излучения Nd : YAG-лазера привязывалась к компоненте СТС абсорбционного перехода, а излучение зондирующего лазера — к компоненте эмиссионного перехода. При условии привязки обеих частот к компонентам СТС, имеющим общий верхний уровень, частота излучения диодного лазера точно равна частоте эмиссионного перехода. Частота излучения стабилизированного таким образом диодного лазера измерялась с помощью фемтосекундного синтезатора оптических частот на базе титан-сапфирового лазера. Представлены результаты абсолютных измерений частот 20 компонент СТС, принадлежащих шести колебательно-вращательным переходам В — Х-системы иода (R56(32 — 48) a₁, P58(32 — 48) a₁, P85(33 — 48) a₁, R87(33 — 48) a₁, R88(33 — 48) a₁₀) и всех 15 компонент линии R86(33 — 48). Относительная погрешность измерений составляет 7 × 10^-10 и определяется нестабильностью частоты излучения диодного лазера.