Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2012, том 42, номер 3, страницы 208–210 (Mi qe14798)  

Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Активные среды

Влияние структурного несовершенства кристаллов ванадатов иттрия, гадолиния и смешанных ванадатов редкоземельных элементов на генерационные характеристики лазеров с полупроводниковой накачкой

Г. Ю. Орловаa, В. И. Власовb, Ю. Д. Заварцевb, А. И. Загуменныйb, И. И. Калашниковаa, С. А. Кутовойb, В. С. Наумовa, А. А. Сироткинb

a ФГУП «НИИ "Полюс" им. М. Ф. Стельмаха», г. Москва
b Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, г. Москва
Список литературы:
Аннотация: Впервые обнаружена зависимость эффективности генерации лазеров с полупроводниковой накачкой и активными элементами из кристаллов ортованадатов иттрия, гадолиния и смешанных ванадатов иттрия-гадолиния и иттрияскандия (ванадатов редкоземельных элементов) от степени структурного несовершенства (качества) кристаллов. Это позволяет предсказывать генерационные параметры на стадии заготовок без изготовления активных элементов.
Ключевые слова: ванадат иттрия, ванадат гадолиния, смешанные ванадаты редкоземельных элементов, структурное несовершенство, генерационные параметры.
Поступила в редакцию: 22.11.2011
Исправленный вариант: 13.02.2012
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2012, Volume 42, Issue 3, Pages 208–210
DOI: https://doi.org/10.1070/QE2012v042n03ABEH014798
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 42.55.Rz, 42.55.Xi, 42.70.Hj, 61.05.Cp


Образец цитирования: Г. Ю. Орлова, В. И. Власов, Ю. Д. Заварцев, А. И. Загуменный, И. И. Калашникова, С. А. Кутовой, В. С. Наумов, А. А. Сироткин, “Влияние структурного несовершенства кристаллов ванадатов иттрия, гадолиния и смешанных ванадатов редкоземельных элементов на генерационные характеристики лазеров с полупроводниковой накачкой”, Квантовая электроника, 42:3 (2012), 208–210 [Quantum Electron., 42:3 (2012), 208–210]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe14798
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v42/i3/p208
  • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:257
    PDF полного текста:125
    Список литературы:35
    Первая страница:2
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024