|
Квантовая электроника, 2012, том 42, номер 3, страницы 208–210
(Mi qe14798)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
Активные среды
Влияние структурного несовершенства кристаллов ванадатов иттрия, гадолиния и смешанных ванадатов редкоземельных элементов на генерационные характеристики лазеров с полупроводниковой накачкой
Г. Ю. Орловаa, В. И. Власовb, Ю. Д. Заварцевb, А. И. Загуменныйb, И. И. Калашниковаa, С. А. Кутовойb, В. С. Наумовa, А. А. Сироткинb a ФГУП «НИИ "Полюс"
им. М. Ф. Стельмаха», г. Москва
b Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, г. Москва
Аннотация:
Впервые обнаружена зависимость эффективности генерации лазеров с полупроводниковой накачкой и активными элементами из кристаллов ортованадатов иттрия, гадолиния и смешанных ванадатов иттрия-гадолиния и иттрияскандия (ванадатов редкоземельных элементов) от степени структурного несовершенства (качества) кристаллов. Это позволяет предсказывать генерационные параметры на стадии заготовок без изготовления активных элементов.
Ключевые слова:
ванадат иттрия, ванадат гадолиния, смешанные ванадаты редкоземельных элементов, структурное несовершенство, генерационные параметры.
Поступила в редакцию: 22.11.2011 Исправленный вариант: 13.02.2012
Образец цитирования:
Г. Ю. Орлова, В. И. Власов, Ю. Д. Заварцев, А. И. Загуменный, И. И. Калашникова, С. А. Кутовой, В. С. Наумов, А. А. Сироткин, “Влияние структурного несовершенства кристаллов ванадатов иттрия, гадолиния и смешанных ванадатов редкоземельных элементов на генерационные характеристики лазеров с полупроводниковой накачкой”, Квантовая электроника, 42:3 (2012), 208–210 [Quantum Electron., 42:3 (2012), 208–210]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe14798 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v42/i3/p208
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 236 | PDF полного текста: | 116 | Список литературы: | 25 | Первая страница: | 2 |
|