|
Квантовая электроника, 1999, том 27, номер 1, страницы 19–20
(Mi qe1474)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Лазеры
Микрочип-лазер на основе кристалла GdVO4:Nd3+
В. И. Власовa, Ю. Д. Заварцевa, А. И. Загуменныйa, П. А. Студеникинa, И. А. Щербаковa, Х. Виссb, В. Лютиb, Х. П. Веберb a Научный центр лазерных материалов и технологий, Институт общей физики им. А. М. Прохорова РАН, г. Москва
b Institute of Applied Physics, University of Bern, Switzerland
Аннотация:
Исследован микрочип-лазер на основе кристалла GdVO4:Nd3+ с диодной накачкой. Получена максимальная выходная мощность около 4 Вт при дифференциальном КПД 22%.
Поступила в редакцию: 07.12.1998
Образец цитирования:
В. И. Власов, Ю. Д. Заварцев, А. И. Загуменный, П. А. Студеникин, И. А. Щербаков, Х. Висс, В. Люти, Х. П. Вебер, “Микрочип-лазер на основе кристалла GdVO4:Nd3+”, Квантовая электроника, 27:1 (1999), 19–20 [Quantum Electron., 29:4 (1999), 301–302]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe1474 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v27/i1/p19
|
|