Генерация излучения на разностной частоте в поле лазерного импульса длительностью в несколько оптических колебаний, распространяющегося в кристалле GaAs с доменной структурой

Рассмотрен процесс генерации излучения на разностной частоте в GaAs с периодической доменной структурой в поле лазерного импульса длительностью в несколько оптических колебаний в случае слабо выраженной материальной дисперсии. Методом прямых получено численное решение системы связанных нелинейных дифференциальных уравнений в частных производных, описывающих эволюцию электрического поля такого лазерного импульса в кристалле GaAs как с периодической, так и с чирпированной доменной структурой. Показано, что использование кристалла GaAs с чирпированной доменной структурой позволяет управлять законом частотной модуляции широкополосного импульсного излучения на разностной частоте.