|
Квантовая электроника, 2013, том 43, номер 1, страницы 71–75
(Mi qe14731)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Квантовые точки
Оптическое поглощение низколежащими состояниями с высокими угловыми моментами системы с отрицательным донором в сферической квантовой точке
Венфанг Кси School of Physics and Electronic Engineering, Guangzhou University, P. R. China
Аннотация:
С использованием метода диагонализации матриц и подхода, основанного на применении редуцированных матриц плотности, проведено исследование оптического поглощения низколежащими состояниями с высокими угловыми моментами системы с отрицательным донором в сферической квантовой точке с гауссовым потенциалом. Линейные, нелинейные третьего порядка и полный коэффициенты оптического поглощения были рассчитаны для переходов 1P- → 1D+ и 1D+ → 1F-. Представлены численные результаты для квантовых точек GaAs /Ga1-х Alx As. Результаты расчетов показывают, что с увеличением квантовых чисел, описывающих угловые моменты переходов, пики в спектре оптического поглощения смещаются в сторону более низких энергий квантов, а их интенсивности растут.
Ключевые слова:
квантовая точка, система с отрицательным донором, возбужденные состояния.
Поступила в редакцию: 27.09.2011 Исправленный вариант: 27.06.2012
Образец цитирования:
Венфанг Кси, “Оптическое поглощение низколежащими состояниями с высокими угловыми моментами системы с отрицательным донором в сферической квантовой точке”, Квантовая электроника, 43:1 (2013), 71–75 [Quantum Electron., 43:1 (2013), 71–75]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe14731 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v43/i1/p71
|
|