Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2013, том 43, номер 1, страницы 71–75 (Mi qe14731)  

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Квантовые точки

Оптическое поглощение низколежащими состояниями с высокими угловыми моментами системы с отрицательным донором в сферической квантовой точке

Венфанг Кси

School of Physics and Electronic Engineering, Guangzhou University, P. R. China
Список литературы:
Аннотация: С использованием метода диагонализации матриц и подхода, основанного на применении редуцированных матриц плотности, проведено исследование оптического поглощения низколежащими состояниями с высокими угловыми моментами системы с отрицательным донором в сферической квантовой точке с гауссовым потенциалом. Линейные, нелинейные третьего порядка и полный коэффициенты оптического поглощения были рассчитаны для переходов 1P-1D+ и 1D+1F-. Представлены численные результаты для квантовых точек GaAs /Ga1-х Alx As. Результаты расчетов показывают, что с увеличением квантовых чисел, описывающих угловые моменты переходов, пики в спектре оптического поглощения смещаются в сторону более низких энергий квантов, а их интенсивности растут.
Ключевые слова: квантовая точка, система с отрицательным донором, возбужденные состояния.
Поступила в редакцию: 27.09.2011
Исправленный вариант: 27.06.2012
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2013, Volume 43, Issue 1, Pages 71–75
DOI: https://doi.org/10.1070/QE2013v043n01ABEH014731
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 73.21.La, 78.67.Hc, 42.65.-k


Образец цитирования: Венфанг Кси, “Оптическое поглощение низколежащими состояниями с высокими угловыми моментами системы с отрицательным донором в сферической квантовой точке”, Квантовая электроника, 43:1 (2013), 71–75 [Quantum Electron., 43:1 (2013), 71–75]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe14731
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v43/i1/p71
  • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024