Статистические свойства обратнорассеянного излучения полупроводниковых лазеров с различной степенью когерентности

Проведено сравнение статистических свойств интенсивности обратнорассеянного излучения в одномодовом оптическом волокне для полупроводниковых лазеров с высокой и низкой степенью когерентности. Показано, что при использовании коротких зондирующих импульсов, длительность которых меньше времени когерентности каждого из лазеров, статистические свойства интенсивности обратнорассеянного излучения для двух лазеров тождественны, при этом функция распределения интенсивности по ансамблю независимых участков волокна имеет экспоненциальный вид для обоих лазеров. При увеличении длительности зондирующего импульса функция распределения обратнорассеянного излучения для лазера с меньшим временем когерентности стремится к гауссовой, а для высококогерентного лазера остается близкой к экспоненциальной. Контраст рефлектограммы когерентного рефлектометра, основанного на регистрации обратнорассеянного излучения, максимален при экспоненциальном распределении интенсивности этого излучения по ансамблю независимых участков. В таком случае, по-видимому, рефлектометр будет обладать максимальной чувствительностью к внешним воздействиям. Это позволяет сделать вывод, что при использовании коротких зондирующих импульсов, обеспечивающих высокое пространственное разрешение (10 м и менее), можно применять лазер с небольшим временем когерентности, равным длительности импульса.