|
Квантовая электроника, 2012, том 42, номер 3, страницы 241–243
(Mi qe14696)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)
Волоконные световоды и усилители
Широкополосный усилитель с плоским распределением коэффициента усиления на основе волокон с высокой концентрацией эрбия в параллельной двухпроходной конфигурации
Б. А. Хамидаa, X. С. Ченгb, С. В. Харунbc, А. В. Наджиa, Х. Арофb, Б. Аль-Хатебa, С. Ханa, Х. Ахмадc a Optoelectronics Laboratory, Electrical and Computer Engineering Department, Faculty of Engineering, International Islamic University Malaysia, Kuala Lumpur
b Department of Electrical Engineering, Faculty of Engineering, University of Malaya
c Photonics Research Center, University of Malaya, Kuala Lumpu
Аннотация:
Демонстрируется широкополосный эрбиевый волоконный усилитель (EDFA) с плоским распределением коэффициента усиления, в котором используется гибридная усиливающая среда из легированного эрбием волокна на основе двуокиси циркония (ZEDF) и высоколегированного эрбиевого волокна (EDF). Один каскад усилителя содержит ZEDF длиной 2 м, а другой — EDF длиной 9 м. Первый каскад оптимизирован для работы в C-полосе, а второй — в L-полосе в двухпроходной параллельной конфигурации. Выход каждого каскада заканчивается волоконным брэгговским отражателем, чтобы обеспечить двойное прохождение сигнала и тем самым увеличить достижимый коэффициент усиления в обеих полосах. При мощности входного сигнала 0 дБм в широком (1530 — 1605 нм) диапазоне длин волн получено усиление 15 дБ при вариации менее 0.5 дБ. Соответствующий шум-фактор в этой области длин волн изменяется от 6.2 до 10.8 дБ.
Ключевые слова:
двухпроходный усилитель, широкополосный усилитель, легированное эрбием волокно на основе двуокиси циркония.
Поступила в редакцию: 15.07.2011 Исправленный вариант: 08.10.2011
Образец цитирования:
Б. А. Хамида, X. С. Ченг, С. В. Харун, А. В. Наджи, Х. Ароф, Б. Аль-Хатеб, С. Хан, Х. Ахмад, “Широкополосный усилитель с плоским распределением коэффициента усиления на основе волокон с высокой концентрацией эрбия в параллельной двухпроходной конфигурации”, Квантовая электроника, 42:3 (2012), 241–243 [Quantum Electron., 42:3 (2012), 241–243]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe14696 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v42/i3/p241
|
|