Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2012, том 42, номер 2, страницы 99–106 (Mi qe14691)  

Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)

Лазеры

Исследование механизма генерации столкновительного лазера на самоограниченном переходе 21P01 – 21S0 в атоме гелия

Е. В. Бельская, П. А. Бохан, Д. Э. Закревский, М. А. Лаврухин

Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
Список литературы:
Аннотация: В режимах одиночных и сдвоенных импульсов исследована генерация на самоограниченном переходе в атоме гелия 21P01 – 21S0 (λ = 2.058 мкм) при электронно-пучковом возбуждении в чистом гелии и в его смесях с H2, N2, O2, CO2, H2O, NH3 и N2O. В чистом гелии максимальная длительность импульсов генерации составила ~50 нс, что совпадает с расчетным значением. Восстановление генерации во втором импульсе начинается при временном сдвиге между импульсами более 1.25 мкс. Введение CO2, N2O, NH3 и H2O увеличивает скорость релаксации населенностей метастабильного состояния He(2 1S0) и уменьшает время задержки восстановления генерации во втором импульсе вплоть до слияния импульсов при добавлении H2O. При длительности импульса возбуждения 1.2 мкс по основанию в смесях гелия с NH3 и H2O получен импульс генерации длительностью ~0.8 мкс, что свидетельствует о реализации столкновительного квазинепрерывного режима. Измерены константы девозбуждения уровня He(2 1S0) молекулярными примесями. Обсуждается механизм столкновительной генерации.
Ключевые слова: столкновительная генерация, гелиевый лазер, константы девозбуждения.
Поступила в редакцию: 06.07.2011
Исправленный вариант: 22.09.2011
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2012, Volume 42, Issue 2, Pages 99–106
DOI: https://doi.org/10.1070/QE2012v042n02ABEH014691
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 42.55.Lt, 42.60.Lh


Образец цитирования: Е. В. Бельская, П. А. Бохан, Д. Э. Закревский, М. А. Лаврухин, “Исследование механизма генерации столкновительного лазера на самоограниченном переходе 21P01 – 21S0 в атоме гелия”, Квантовая электроника, 42:2 (2012), 99–106 [Quantum Electron., 42:2 (2012), 99–106]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe14691
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v42/i2/p99
  • Эта публикация цитируется в следующих 6 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:249
    PDF полного текста:116
    Список литературы:51
    Первая страница:1
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024