Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2011, том 41, номер 11, страницы 1010–1015 (Mi qe14592)  

Эта публикация цитируется в 7 научных статьях (всего в 7 статьях)

Нелинейно-оптические явления

Влияние самоиндуцированной прозрачности на адиабатоны электромагнитно индуцированной прозрачности в Λ-схеме с вырождением уровней

О. М. Паршков

Саратовский государственный технический университет имени Гагарина Ю. А.
Список литературы:
Аннотация: Представлены результаты численного моделирования процесса возникновения адиабатона в Λ-схеме вырожденных энергетических уровней с квантовым числом полного момента импульса J = 0, 2, 1. Показано, что при линейной поляризации входного высокочастотного поля и круговой поляризации входного низкочастотного поля энергия высокочастотной компоненты адиабатона сосредотачивается в двух или более импульсах, в одном из которых поле поляризовано по кругу противоположно входному низкочастотному полю, а в других оно поляризовано по кругу в том же направлении, что и это поле. Данный эффект обусловлен спецификой электромагнитно индуцированной прозрачности в рассматриваемой Λ-схеме и тенденциями, вносимыми в нее самоиндуцированной прозрачностью.
Поступила в редакцию: 25.03.2011
Исправленный вариант: 20.06.2011
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2011, Volume 41, Issue 11, Pages 1010–1015
DOI: https://doi.org/10.1070/QE2011v041n11ABEH014592
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 42.50.Gy, 32.80.-t, 42.25.Ja


Образец цитирования: О. М. Паршков, “Влияние самоиндуцированной прозрачности на адиабатоны электромагнитно индуцированной прозрачности в Λ-схеме с вырождением уровней”, Квантовая электроника, 41:11 (2011), 1010–1015 [Quantum Electron., 41:11 (2011), 1010–1015]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe14592
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v41/i11/p1010
  • Эта публикация цитируется в следующих 7 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024