Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2011, том 41, номер 8, страницы 681–686 (Mi qe14557)  

Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Лазеры

Интерференционные исследования дискового активного элемента из ГГГ : Nd при диодной накачке

Г. А. Буфетова, Д. А. Николаев, А. И. Трикшев, В. Б. Цветков, И. А. Щербаков

Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, г. Москва
Список литературы:
Аннотация: Представлены результаты интерференционных исследований дискового активного элемента из кристалла гадолиний-галлиевого граната (ГГГ : Nd) при диодной накачке. Диск вырезан перпендикулярно кристаллографической оси [001], вдоль которой распространяется пучок излучения накачки. При поглощении излучения накачки в диске формировалась термолинза, которая исследовалась интерференционными методами с помощью линейно поляризованного зондирующего излучения. При поглощенной мощности накачки до 12 Вт интерференционная картина вблизи поверхности диска представляла собой систему концентрических колец. При увеличении поглощенной мощности накачки до 24 Вт наружные кольца трансформировались в шестиугольники. Показано, что такая интерференционная картина в кристалле со структурой граната обусловлена термонаведенным двулучепреломлением.
Поступила в редакцию: 08.02.2011
Исправленный вариант: 16.05.2011
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2011, Volume 41, Issue 8, Pages 681–686
DOI: https://doi.org/10.1070/QE2011v041n08ABEH014557
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 42.55.Rz, 42.55.Xi, 78.20.Nv


Образец цитирования: Г. А. Буфетова, Д. А. Николаев, А. И. Трикшев, В. Б. Цветков, И. А. Щербаков, “Интерференционные исследования дискового активного элемента из ГГГ : Nd при диодной накачке”, Квантовая электроника, 41:8 (2011), 681–686 [Quantum Electron., 41:8 (2011), 681–686]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe14557
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v41/i8/p681
  • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:257
    PDF полного текста:100
    Список литературы:55
    Первая страница:1
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024