|
Квантовая электроника, 2011, том 41, номер 8, страницы 715–721
(Mi qe14541)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 11 научных статьях (всего в 11 статьях)
Управление параметрами лазерного излучения
Непрерывная двухволновая генерация в микрочип-Nd : YAG-лазерах
И. В. Иевлев, И. В. Корюкин, Ю. С. Лебедева, П. А. Хандохин Институт прикладной физики РАН, г. Нижний Новгород
Аннотация:
Обнаружен режим одновременной двухволновой генерации в микрочип-Nd :YAG-лазерах на длинах волн 1061.5 и 1064.17 нм с продольной лазерной накачкой при комнатной температуре. Исследованы зависимости интенсивности генерируемых волн от температуры кристалла и мощности излучения накачки. Выявлены области параметров, в которых существует двухволновая генерация и установлены причины ее возникновения. Предложена модель, адекватно описывающая полученные экспериментальные результаты.
Поступила в редакцию: 19.01.2011 Исправленный вариант: 14.06.2011
Образец цитирования:
И. В. Иевлев, И. В. Корюкин, Ю. С. Лебедева, П. А. Хандохин, “Непрерывная двухволновая генерация в микрочип-Nd : YAG-лазерах”, Квантовая электроника, 41:8 (2011), 715–721 [Quantum Electron., 41:8 (2011), 715–721]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe14541 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v41/i8/p715
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 258 | PDF полного текста: | 131 | Список литературы: | 33 | Первая страница: | 1 |
|