Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2011, том 41, номер 8, страницы 759–764 (Mi qe14500)  

Эта публикация цитируется в 48 научных статьях (всего в 49 статьях)

Нанолитография

Формирование интерференционных картин затухающих электромагнитных волн для наноразмерной литографии с помощью волноводных дифракционных решеток

Е. А. Безусab, Л. Л. Досколовичab, Н. Л. Казанскийab

a ГОУ ВПО «Самарский государственный аэрокосмический университет им. акад. С. П. Королева (национальный исследовательский университет)»
b Институт систем обработки изображений РАН - филиал ФНИЦ "Кристаллография и фотоника" РАН, Самара, Россия, г. Самара
Список литературы:
Аннотация: Рассмотрено формирование интерференционных картин затухающих электромагнитных волн с существенно субволновым периодом с помощью диэлектрических волноводных дифракционных решеток. На основе моделирования в рамках электромагнитной теории показана возможность получения интерференционных картин высокого качества за счет усиления затухающих порядков дифракции при резонансных условиях. Контраст интерференционных картин в случае ТЕ поляризации падающей волны близок к единице. Интенсивность поля в интерференционных максимумах в ближнем поле в 25 — 100 раз превышает интенсивность падающей волны. Показана возможность формирования интерференционных картин затухающих волн, соответствующих высшим порядкам дифракции. Использование высших порядков снижает требования к технологии изготовления и позволяет формировать интерференционные картины, имеющие высокую пространственную частоту, с помощью дифракционных решеток с низкой пространственной частотой. Представлены примеры формирования интерференционных картин с периодами, в 6 раз меньшими, чем у используемых дифракционных решеток.
Поступила в редакцию: 18.11.2010
Исправленный вариант: 09.02.2011
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2011, Volume 41, Issue 8, Pages 759–764
DOI: https://doi.org/10.1070/QE2011v041n08ABEH014500
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 81.16.Nd, 42.82.Et, 42.25.Hz


Образец цитирования: Е. А. Безус, Л. Л. Досколович, Н. Л. Казанский, “Формирование интерференционных картин затухающих электромагнитных волн для наноразмерной литографии с помощью волноводных дифракционных решеток”, Квантовая электроника, 41:8 (2011), 759–764 [Quantum Electron., 41:8 (2011), 759–764]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe14500
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v41/i8/p759
  • Эта публикация цитируется в следующих 49 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:284
    PDF полного текста:127
    Список литературы:32
    Первая страница:1
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024