|
Квантовая электроника, 2011, том 41, номер 5, страницы 420–422
(Mi qe14483)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 11 научных статьях (всего в 11 статьях)
Лазеры
Tm:Sc2SiO5-лазер (λ = 1.98 мкм) с диодной накачкой
Ю. Д. Заварцев, А. И. Загуменный, Ю. Л. Калачев, С. А. Кутовой, В. А. Михайлов, В. В. Подрешетников, И. А. Щербаков Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, г. Москва
Аннотация:
Впервые получена лазерная генерация активного элемента, изготовленного из выращенного методом Чохральского кристалла Tm3+:Sc2SiO5 на длине волны 1.98 мкм при диодной накачке (λ = 792 мкм). Дифференциальная эффективность лазера достигала 18.7% при мощности выходного излучения до 520 мВт.
Поступила в редакцию: 01.11.2010 Исправленный вариант: 09.02.2011
Образец цитирования:
Ю. Д. Заварцев, А. И. Загуменный, Ю. Л. Калачев, С. А. Кутовой, В. А. Михайлов, В. В. Подрешетников, И. А. Щербаков, “Tm:Sc2SiO5-лазер (λ = 1.98 мкм) с диодной накачкой”, Квантовая электроника, 41:5 (2011), 420–422 [Quantum Electron., 41:5 (2011), 420–422]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe14483 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v41/i5/p420
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 293 | PDF полного текста: | 93 | Список литературы: | 53 | Первая страница: | 1 |
|