В. В. Кабанов, Е. В. Лебедок, А. А. Романенко, А. Г. Рябцев, Г. И. Рябцев, М. А. Щемелев, С. К. Мехта, “Усиленная люминесценция и выходные характеристики мощных линеек лазерных InGaAs/AlGaAs-диодов”, Квантовая электроника, 41:2 (2011), 95–98 [Quantum Electron., 41:2 (2011), 95

Квантовая электроника

RUS ENG

ЖУРНАЛЫ ПЕРСОНАЛИИ ОРГАНИЗАЦИИ КОНФЕРЕНЦИИ СЕМИНАРЫ ВИДЕОТЕКА ПАКЕТ AMSBIB

JavaScript is disabled in your browser. Please switch it on to enable full functionality of the website

	Общая информация
	Последний выпуск
	Архив
	Импакт-фактор
	Правила для авторов
	Загрузить рукопись

	Поиск публикаций
	Поиск ссылок

	RSS
	Последний выпуск
	Текущие выпуски
	Архивные выпуски
	Что такое RSS

Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
	Найти

Персональный вход:
Логин:
Пароль:
	Запомнить пароль
	Войти
	Забыли пароль?
	Регистрация

Квантовая электроника, 2011, том 41, номер 2, страницы 95–98 (Mi qe14462)

Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)

Лазеры

Усиленная люминесценция и выходные характеристики мощных линеек лазерных InGaAs/AlGaAs-диодов

В. В. Кабанов^a, Е. В. Лебедок^a, А. А. Романенко^a, А. Г. Рябцев^b, Г. И. Рябцев^a, М. А. Щемелев^b, С. К. Мехта^c

^a Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, г. Минск
^b Белорусский государственный университет, г. Минск
^c Solid State Physics Laboratory, India

PDF полного текста (123 kB) Список цитирования (6)

Список литературы:

PDF

HTML

Аннотация: Изучено влияние усиленной люминесценции (УЛ) и растекания неравновесных носителей заряда на пороговые, динамические и мощностные характеристики мощных линеек лазерных диодов (ЛЛД) на основе InGaAs/AlGaAs-гетероструктуры. Установлено, что в зависимости от фактора заполнения излучением ближнего поля вклад рекомбинации, индуцируемой УЛ, в порог генерации ЛЛД может достигать 11%. Показано, что потери энергии накачки ЛЛД, связанные с УЛ, возрастают с ростом тока инжекции выше его порогового значения вследствие увеличения интенсивности излучения, распространяющегося перпендикулярно оси резонатора ЛЛД.

Поступила в редакцию: 11.10.2010
Исправленный вариант: 06.12.2010

Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2011, Volume 41, Issue 2, Pages 95–98
DOI: https://doi.org/10.1070/QE2011v041n02ABEH014462

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья

PACS: 42.55.Px, 42.60.Lh, 78.45.+h

Образец цитирования: В. В. Кабанов, Е. В. Лебедок, А. А. Романенко, А. Г. Рябцев, Г. И. Рябцев, М. А. Щемелев, С. К. Мехта, “Усиленная люминесценция и выходные характеристики мощных линеек лазерных InGaAs/AlGaAs-диодов”, Квантовая электроника, 41:2 (2011), 95–98 [Quantum Electron., 41:2 (2011), 95–98]

Образцы ссылок на эту страницу:

https://www.mathnet.ru/rus/qe14462

https://www.mathnet.ru/rus/qe/v41/i2/p95

Эта публикация цитируется в следующих 6 статьяx:

Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles

Статистика просмотров:
Страница аннотации:	276
PDF полного текста:	136
Список литературы:	74
Первая страница:	1

Что такое QR-код?

Обратная связь:

Пользовательское соглашение

Регистрация посетителей портала

Логотипы