|
Квантовая электроника, 2011, том 41, номер 1, страницы 20–25
(Mi qe14440)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Лазеры
Параметры Стокса излучения поперечно-одномодовых InGaAs/AlGaAs-лазеров с квантоворазмерной активной областью
Н. В. Дьячков, А. П. Богатов Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва
Аннотация:
На примере лазеров с двумя различными гетероструктурами обнаружена сильная зависимость состояния поляризации лазерного излучения при токах накачки, соответствующих регулярному поведению ватт-амперной характеристики, от конкретного образца, что предположительно говорит о возможности использовать меру отклонения состояния поляризации от линейного как чувствительную характеристику качества изготовления излучателя. Установлено, что аномалии ватт-амперной характеристики (так называемые кинки) сопровождаются существенным падением степени поляризации излучения. Измеренные значения степени поляризации спонтанного излучения образцов (при токах накачки, много меньших порогового) находятся в хорошем согласии с теоретической оценкой, полученной в рамках трехзонной модели оптических переходов.
Поступила в редакцию: 27.09.2010
Образец цитирования:
Н. В. Дьячков, А. П. Богатов, “Параметры Стокса излучения поперечно-одномодовых InGaAs/AlGaAs-лазеров с квантоворазмерной активной областью”, Квантовая электроника, 41:1 (2011), 20–25 [Quantum Electron., 41:1 (2011), 20–25]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe14440 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v41/i1/p20
|
|