Диссоциативное возбуждение атома кремния в поперечном электрическом разряде

Представлены результаты исследования возбуждения атомов кремния в процессе деструкции молекул силана при возбуждении смеси Не – Аr – SiH$_4$ в поперечном импульсном разряде. Линия 288.2 нм SiI $(3p^2~^1D_2-4s^1P_1^0)$ является наиболее интенсивной из линий кремния в области $\Delta \lambda$ = 200-600 нм и представляет интерес для применения в лазерах на парах кремния. Разряд в смесях силана с атомами Не(Аr) может также использоваться для нанесения пористых полупроводниковых покрытий на электроды поперечного импульсного разряда.