Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2011, том 41, номер 2, страницы 135–138 (Mi qe14431)  

Эта публикация цитируется в 7 научных статьях (всего в 7 статьях)

Активные среды

Кинетика образования O2(1Σ) в реакции O2(1Δ) + O2(1Δ) → O2(1Σ) + O2(3Σ)

М. В. Загидуллин, Н. А. Хватов, А. Ю. Нягашкин

Самарский филиал Физического института им. П. Н. Лебедева РАН
Список литературы:
Аннотация: Измерена зависимость отношения удельных мощностей димольного излучения синглетного кислорода в полосе 634 нм и излучения в полосе b — X молекулы O2(1Σ) в смеси O2(X) — O2(1Δ) — O2(1Σ) — HO — CO2 от концентрации СО2. В результате определена константа скорости реакции O2(1Δ) + O2(1Δ) → O2(1Σ) + O2(3Σ) при температуре ~330 K, составившая (4.5±1.1)×10-17 см3·с-1
Поступила в редакцию: 09.09.2010
Исправленный вариант: 11.11.2010
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2011, Volume 41, Issue 2, Pages 135–138
DOI: https://doi.org/10.1070/QE2011v041n02ABEH014431
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 42.55.Ks, 33.50.-j, 82.50.-m


Образец цитирования: М. В. Загидуллин, Н. А. Хватов, А. Ю. Нягашкин, “Кинетика образования O2(1Σ) в реакции O2(1Δ) + O2(1Δ) → O2(1Σ) + O2(3Σ)”, Квантовая электроника, 41:2 (2011), 135–138 [Quantum Electron., 41:2 (2011), 135–138]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe14431
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v41/i2/p135
  • Эта публикация цитируется в следующих 7 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024