А. А. Андронов, С. С. Балабанов, Е. М. Гаврищук, О. Н. Еремейкин, Н. Г. Захаров, А. П. Савикин, Н. А. Тимофеева, В. В. Шарков, “Генерация на поликристаллическом Cr2+:ZnSe c накачкой излучением импульсно-периодического Tm:YLF-лазера”, Квантовая электроника, 40:12 (2010), 1109–1111 [Quantum Electron., 40:12 (2010), 1109

Квантовая электроника

RUS ENG

ЖУРНАЛЫ ПЕРСОНАЛИИ ОРГАНИЗАЦИИ КОНФЕРЕНЦИИ СЕМИНАРЫ ВИДЕОТЕКА ПАКЕТ AMSBIB

JavaScript is disabled in your browser. Please switch it on to enable full functionality of the website

	Общая информация
	Последний выпуск
	Архив
	Импакт-фактор
	Правила для авторов
	Загрузить рукопись

	Поиск публикаций
	Поиск ссылок

	RSS
	Последний выпуск
	Текущие выпуски
	Архивные выпуски
	Что такое RSS

Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
	Найти

Персональный вход:
Логин:
Пароль:
	Запомнить пароль
	Войти
	Забыли пароль?
	Регистрация

Квантовая электроника, 2010, том 40, номер 12, страницы 1109–1111 (Mi qe14428)

Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

Лазеры и усилители

Генерация на поликристаллическом Cr²⁺:ZnSe c накачкой излучением импульсно-периодического Tm:YLF-лазера

А. А. Андронов^a, С. С. Балабанов^b, Е. М. Гаврищук^b, О. Н. Еремейкин^a, Н. Г. Захаров^a, А. П. Савикин^a, Н. А. Тимофеева^b, В. В. Шарков^a

^a Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
^b Институт химии высокочистых веществ РАН, г. Нижний Новгород

PDF полного текста (233 kB) Список цитирования (4)

Список литературы:

PDF

HTML

Аннотация: Исследованы генерационные характеристики лазера на поликристаллическом Cr²⁺:ZnSe, полученном методом диффузионного отжига, при накачке излучением Tm:YLF-лазера на длине волны 1.908 мкм, работающего в режиме модуляции добротности (частота следования импульсов 2 кГц) с непрерывной диодной накачкой. В области 2.32 мкм получена эффективная (полный КПД ~17%) импульсно-периодическая генерация (длительность импульса ~45 нс) при средней мощности ~1 Вт.

Поступила в редакцию: 13.09.2010
Исправленный вариант: 10.11.2010

Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2010, Volume 40, Issue 12, Pages 1109–1111
DOI: https://doi.org/10.1070/QE2010v040n12ABEH014428

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья

PACS: 42.55.Rz, 42.55.Xi, 42.60.Gd, 42.62.Fi

Образец цитирования: А. А. Андронов, С. С. Балабанов, Е. М. Гаврищук, О. Н. Еремейкин, Н. Г. Захаров, А. П. Савикин, Н. А. Тимофеева, В. В. Шарков, “Генерация на поликристаллическом Cr²⁺:ZnSe c накачкой излучением импульсно-периодического Tm:YLF-лазера”, Квантовая электроника, 40:12 (2010), 1109–1111 [Quantum Electron., 40:12 (2010), 1109–1111]

Образцы ссылок на эту страницу:

https://www.mathnet.ru/rus/qe14428

https://www.mathnet.ru/rus/qe/v40/i12/p1109

Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:

Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles

Статистика просмотров:
Страница аннотации:	354
PDF полного текста:	164
Список литературы:	37
Первая страница:	1

Что такое QR-код?

Обратная связь:

Пользовательское соглашение

Регистрация посетителей портала

Логотипы