Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2011, том 41, номер 1, страницы 4–7 (Mi qe14421)  

Эта публикация цитируется в 7 научных статьях (всего в 7 статьях)

Лазеры

Электролюминесценция полупроводниковых гетероструктур на основе оксида цинка

О. А. Новодворский, А. А. Лотин, В. Я. Панченко, Л. С. Паршина, Е. В. Хайдуков, Д. А. Зуев, О. Д. Храмова

Институт проблем лазерных и информационных технологий РАН, г.  Шатуpа Московской обл.
Список литературы:
Аннотация: Методом лазерно-плазменного осаждения были выращены светоизлучающие диоды на основе гетероструктур n-ZnO/p-GaN, n-ZnO/i-ZnO/p-GaN и n-ZnO/n-Mg0.2Zn0.8O/i-Cd0.2Zn0.8O/p-GaN с максимумами интенсивности излучения на длинах волн 495, 382 и 465 нм и минимальными значениями плотности тока 1.35, 2 и 0.48 А/см2 соответственно, при которых регистрировалась электролюминесценция. Вследствие пространственного ограничения для носителей заряда интенсивность электролюминесценции светодиода на основе двойной гетероструктуры n-ZnO/n-Mg0.2Zn0.8O/i-Cd0.2Zn0.8O/p-GaN выше, а порог электролюминесценции ниже, чем у светодиодов на основе n-ZnO/p-GaN и n-ZnO/i-ZnO/p-GaN.
Поступила в редакцию: 22.09.2010
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2011, Volume 41, Issue 1, Pages 4–7
DOI: https://doi.org/10.1070/QE2011v041n01ABEH014421
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 78.60.Fi, 78.66.Hf, 85.60.Jb


Образец цитирования: О. А. Новодворский, А. А. Лотин, В. Я. Панченко, Л. С. Паршина, Е. В. Хайдуков, Д. А. Зуев, О. Д. Храмова, “Электролюминесценция полупроводниковых гетероструктур на основе оксида цинка”, Квантовая электроника, 41:1 (2011), 4–7 [Quantum Electron., 41:1 (2011), 4–7]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe14421
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v41/i1/p4
  • Эта публикация цитируется в следующих 7 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:365
    PDF полного текста:171
    Список литературы:39
    Первая страница:1
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024