|
Квантовая электроника, 2011, том 41, номер 1, страницы 4–7
(Mi qe14421)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 7 научных статьях (всего в 7 статьях)
Лазеры
Электролюминесценция полупроводниковых гетероструктур на основе оксида цинка
О. А. Новодворский, А. А. Лотин, В. Я. Панченко, Л. С. Паршина, Е. В. Хайдуков, Д. А. Зуев, О. Д. Храмова Институт проблем лазерных и информационных технологий РАН, г. Шатуpа Московской обл.
Аннотация:
Методом лазерно-плазменного осаждения были выращены светоизлучающие диоды на основе гетероструктур n-ZnO/p-GaN, n-ZnO/i-ZnO/p-GaN и n-ZnO/n-Mg0.2Zn0.8O/i-Cd0.2Zn0.8O/p-GaN с максимумами интенсивности излучения на длинах волн 495, 382 и 465 нм и минимальными значениями плотности тока 1.35, 2 и 0.48 А/см2 соответственно, при которых регистрировалась электролюминесценция. Вследствие пространственного ограничения для носителей заряда интенсивность электролюминесценции светодиода на основе двойной гетероструктуры n-ZnO/n-Mg0.2Zn0.8O/i-Cd0.2Zn0.8O/p-GaN выше, а порог электролюминесценции ниже, чем у светодиодов на основе n-ZnO/p-GaN и n-ZnO/i-ZnO/p-GaN.
Поступила в редакцию: 22.09.2010
Образец цитирования:
О. А. Новодворский, А. А. Лотин, В. Я. Панченко, Л. С. Паршина, Е. В. Хайдуков, Д. А. Зуев, О. Д. Храмова, “Электролюминесценция полупроводниковых гетероструктур на основе оксида цинка”, Квантовая электроника, 41:1 (2011), 4–7 [Quantum Electron., 41:1 (2011), 4–7]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe14421 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v41/i1/p4
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 365 | PDF полного текста: | 171 | Список литературы: | 39 | Первая страница: | 1 |
|