Создание на поверхности алмазных пленок антиотражающих микроструктур методом лазерного рисования

Предложена и экспериментально реализована методика просветления алмазных пластин в ИК диапазоне спектра путем создания на их поверхности регулярной рельефной структуры с периодом меньше длины волны излучения. Микроструктурирование поверхности алмаза осуществлялось в режиме рисования сфокусированным лучом Nd:YAP-лазера (λ = 1078 нм) и сканированием изображения шаблона в проекционной схеме с использованием эксимерного KrF-лазера (λ = 248 нм). Минимальный период полученных структур, состоящих из набора каналов или кратеров, составлял 3 мкм. Исследовано влияние глубины создаваемых структур на коэффициент пропускания алмазной пластины. Увеличение пропускания на длине волны 10.6 мкм для пластины, обработанной с двух сторон, достигало 10%, при этом просветлениe наблюдалoсь в широком спектральном диапазоне (10 — 20 мкм).