Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2010, том 40, номер 7, страницы 604–614 (Mi qe14356)  

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Лазеры

Предельные тепловые режимы дисковых активных элементов при стационарной накачке и двумерном распределении температуры внутри диска

А. Н. Алпатьев, Д. А. Лис, В. А. Смирнов, И. А. Щербаков

Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, г. Москва
Список литературы:
Аннотация: Получено аналитическое выражение, описывающее стационарное двумерное осесимметричное распределение температуры в дисковом активном элементе (АЭ), охлаждаемом с торца и с боковой поверхности (граничные условия 3-го рода), в случае, когда излучение накачки освещает весь диск, для толщин диска 0.01 см ≤ h ≤ 0.3 см и отношения диаметра к толщине 1 ≤ d/h ≤ 100. Рассчитаны термомеханические напряжения, показано, что с точки зрения разрушения диска наибольшую опасность представляет тангенциальное напряжение на его боковой стороне. Для различных параметров масштабирования x = d/h в многомодовом приближении оценены предельные мощности генерации Pgen, которые можно получить при использовании дискового АЭ в случае торцевого и бокового охлаждения для различных коэффициентов теплообмена a (на примере кристалла YAG : Nd). Установлено, что боковое охлаждение может в определенных ситуациях уменьшать Pgen. Определены области приоритетов в пространстве параметров h, x и a, в которых по мере роста интенсивности накачки первым наступает одно из трех событий, нарушающих нормальную работу лазера: ухудшение спектрально-люминесцентных характеристик АЭ вследствие нагрева, нарушение нормального режима охлаждения или термомеханическое разрушение диска. Показано, что увеличение параметра масштабирования х приводит к сглаживанию радиального температурного профиля и профиля распределения термоупругих напряжений.
Поступила в редакцию: 11.05.2010
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2010, Volume 40, Issue 7, Pages 604–614
DOI: https://doi.org/10.1070/QE2010v040n07ABEH014356
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 42.55.Rz, 42.60.Da, 42.60.Lh


Образец цитирования: А. Н. Алпатьев, Д. А. Лис, В. А. Смирнов, И. А. Щербаков, “Предельные тепловые режимы дисковых активных элементов при стационарной накачке и двумерном распределении температуры внутри диска”, Квантовая электроника, 40:7 (2010), 604–614 [Quantum Electron., 40:7 (2010), 604–614]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe14356
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v40/i7/p604
  • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024