Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2010, том 40, номер 7, страницы 596–598 (Mi qe14351)  

Эта публикация цитируется в 9 научных статьях (всего в 9 статьях)

Лазеры

Качественное улучшение лазерных свойств кристаллов PbGa2S4:Dy3+ при их соактивации ионами Na+

Т. Т. Басиевa, М. Е. Дорошенкоa, В. В. Осикоa, В. В. Бадиковb, Д. В. Бадиковb, В. Л. Панютинb, Г. С. Шевырдяеваb

a Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, г. Москва
b Кубанский государственный университет, г. Краснодар
Список литературы:
Аннотация: Исследованы генерационные свойства кристаллов тиогаллата свинца, активированных ионами трехвалентного диспрозия и соактивированных ионами натрия. Показано положительное влияние дополнительной соактивации ионами натрия на оптические и генерационные свойства кристаллов тиогаллата свинца. При длительности импульса накачки 1.5 мс реализованы существенно более высокие значения энергии генерации в импульсе — до 15 мДж при дифференциальном КПД до 4%. Получено каскадное лазерное излучение на двух электронных переходах иона Dy3+ с длинами волн 4.3, 4.5, 4.65, 5.2, 5.3 и 5.4 мкм.
Поступила в редакцию: 30.04.2010
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2010, Volume 40, Issue 7, Pages 596–598
DOI: https://doi.org/10.1070/QE2010v040n07ABEH014351
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 42.55.Rz, 42.60.Lh, 42.70.Hj


Образец цитирования: Т. Т. Басиев, М. Е. Дорошенко, В. В. Осико, В. В. Бадиков, Д. В. Бадиков, В. Л. Панютин, Г. С. Шевырдяева, “Качественное улучшение лазерных свойств кристаллов PbGa2S4:Dy3+ при их соактивации ионами Na+”, Квантовая электроника, 40:7 (2010), 596–598 [Quantum Electron., 40:7 (2010), 596–598]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe14351
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v40/i7/p596
  • Эта публикация цитируется в следующих 9 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:230
    PDF полного текста:92
    Список литературы:36
    Первая страница:1
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024