|
Квантовая электроника, 1999, том 26, номер 2, страницы 134–138
(Mi qe1432)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)
Воздействие лазерного излучения на вещество
Лазерная абляция сильно поглощающих диэлектриков при воздействии пары субпикосекундных лазерных импульсов
А. Ю. Малышев, Н. М. Битюрин Институт прикладной физики РАН, г. Нижний Новгород
Аннотация:
В рамках тепловой поверхностной модели теоретически исследована лазерная абляция сильно поглощающего диэлектрика. Рассмотрено воздействие двух УКИ УФ диапазона с переменной задержкой между ними. Определено, как на качественное поведение зависимости аблированной толщины от времени задержки между УКИ L(td) влияют факторы, определяющие распределение поглощенной энергии излучения в объеме материала. Численные расчеты зависимости L(td) показали, что трехуровневая модель среды позволяет получить качественное и количественное соответствие с экспериментальными данными по двухимпульсной лазерной абляции полиимида.
Поступила в редакцию: 24.07.1998
Образец цитирования:
А. Ю. Малышев, Н. М. Битюрин, “Лазерная абляция сильно поглощающих диэлектриков при воздействии пары субпикосекундных лазерных импульсов”, Квантовая электроника, 26:2 (1999), 134–138 [Quantum Electron., 29:2 (1999), 134–138]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe1432 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v26/i2/p134
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 220 | PDF полного текста: | 180 | Первая страница: | 1 |
|