Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2010, том 40, номер 6, страницы 475–478 (Mi qe14308)  

Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)

Лазеры

Некритичный к температурному дрейфу длины волны излучения диода накачки лазер на кристалле NaLa(MoO4)2:Nd, работающий в непрерывном режиме или режиме модуляции добротности

С. Н. Ушаковa, В. А. Романюкb, П. А. Рябочкинаc, И. А. Шестаковаd, Д. А. Лисa, К. А. Субботинa, А. В. Шестаковb, Е. В. Жариковe

a Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, г. Москва
b ООО «НПЦ "ЭЛС-94"», г. Москва
c Мордовский государственный университет имени Н. П. Огарева
d ФГУП «НИИ "Полюс" им. М. Ф. Стельмаха», г. Москва
e Российский химико-технологический университет им. Д. И. Менделеева
Список литературы:
Аннотация: Получена лазерная генерация на кристаллах NaLa(MoO4)2:Nd без стабилизации длины волны излучения диодной накачки. Найдена зависимость мощности генерации лазера в непрерывном режиме (на длине волны 1059 нм) от температуры диода накачки (в диапазоне 10 — 45°С). Показано, что при изменении температуры диода в указанном диапазоне эффективность генерации меняется не более чем на 30%. В режиме пассивной модуляции добротности резонатора эксперименты проводились для двух режимов накачки — импульсного и непрерывного. При импульсной накачке энергия импульса генерации составила 16 мкДж при длительности импульса генерации 11 нс. Генерация происходила на длине волны 1059 нм, так же как и в случае непрерывного режима генерации. При непрерывной накачке мощностью 1.5 Вт была получена генерация с энергией импульса 11 мкДж.
Поступила в редакцию: 11.03.2010
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2010, Volume 40, Issue 6, Pages 475–478
DOI: https://doi.org/10.1070/QE2010v040n06ABEH014308
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 42.55.Rz, 42.55.Xi, 42.60.Gd, 42.60.Pk


Образец цитирования: С. Н. Ушаков, В. А. Романюк, П. А. Рябочкина, И. А. Шестакова, Д. А. Лис, К. А. Субботин, А. В. Шестаков, Е. В. Жариков, “Некритичный к температурному дрейфу длины волны излучения диода накачки лазер на кристалле NaLa(MoO4)2:Nd, работающий в непрерывном режиме или режиме модуляции добротности”, Квантовая электроника, 40:6 (2010), 475–478 [Quantum Electron., 40:6 (2010), 475–478]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe14308
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v40/i6/p475
  • Эта публикация цитируется в следующих 6 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:201
    PDF полного текста:112
    Список литературы:46
    Первая страница:1
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024