|
Квантовая электроника, 2010, том 40, номер 5, страницы 425–430
(Mi qe14289)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 22 научных статьях (всего в 22 статьях)
Детектирование излучения
Зависимость оптоэлектрического выпрямления в нанографитных пленках от поляризации лазерного излучения
Г. М. Михеевa, В. М. Стяпшинa, П. А. Образцовbc, Е. А. Хестановаd, С. В. Гарновc a Институт прикладной механики УрО РАН, г. Ижевск
b Department of Physics and Mathematics, University of Eastern Finland
c Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, г. Москва
d Физический факультет, Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова
Аннотация:
Экспериментально исследовано оптоэлектрическое выпрямление в нанографитных пленках при различных поляризациях импульсного лазерного излучения на длине волны 1064 нм. Амплитуда импульсной разности потенциалов, возникающей в материале пленки в направлении, перпендикулярном плоскости падения, зависит как четная функция от угла между плоскостью поляризации и плоскостью падения лазерного излучения. Для направления вдоль плоскости падения эта зависимость имеет характер нечетной функции. Получены эмпирические формулы, описывающие преобразование мощности импульса света в амплитуду импульсного электрического напряжения в зависимости от параметров эллиптически поляризованного излучения лазера. Представленные результаты объясняются возбуждением поверхностных электрических токов за счет передачи квазиимпульса света электронам при межзонных квантовых переходах, а также поверхностным фотогальваническим эффектом.
Поступила в редакцию: 02.02.2010
Образец цитирования:
Г. М. Михеев, В. М. Стяпшин, П. А. Образцов, Е. А. Хестанова, С. В. Гарнов, “Зависимость оптоэлектрического выпрямления в нанографитных пленках от поляризации лазерного излучения”, Квантовая электроника, 40:5 (2010), 425–430 [Quantum Electron., 40:5 (2010), 425–430]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe14289 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v40/i5/p425
|
|