В. В. Паращук, Г. И. Рябцев, А. К. Беляева, Т. В. Безъязычная, В. В. Баранов, Е. В. Телеш, Ву Зоан Мьен, Ву Ван Лук, Фам Ван Чыонг, “Повышение эффективности мощных диодных лазеров при использовании алмазных теплоотводов”, Квантовая электроника, 40:4 (2010), 301–304 [Quantum Electron., 40:4 (2010), 301

Аннотация: На базе многофункциональных ионно-лучевых и магнетронных распылительных систем разработаны химический и вакуумные методы формирования металлических покрытий с высокой адгезией к различным поверхностям, в том числе применительно к медным и алмазным теплоотводящим основаниям (АТО) для диодных лазеров. Определены оптимальные условия сборки диодных лазеров и линеек на основе разработанных способов металлизации и достигнуто существенное улучшение выходных характеристик приборов. В случае лазерных диодов непрерывного режима с АТО предельная выходная мощность увеличивается до двух раз и существенно расширяется линейный (рабочий) участок ватт-амперной характеристики, а кроме того, дифференциальная эффективность по сравнению с эффективностью образцов на медных хладопроводах возрастает в 1.5 — 2 раза. Применение АТО для импульсных лазерных линеек позволяет расширить рабочую область по току накачки в 2 — 3 раза, а по длительности возбуждающих импульсов при частоте их следования f ≥ 10 Гц в миллисекундном диапазоне — более чем на порядок.