| Квантовая электроника |
|
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 23 научных статьях (всего в 23 статьях) Письма в редакцию Новые нелинейно-лазерные свойства сегнетоэлектрика Ba2NaNb5O15:Nd3+: непрерывное стимулированное излучение (4F3/2 → 4I11/2 и 4F3/2 → 4I13/2), коллинеарное и диффузное самоумножение и самосуммирование частоты генерации А. А. Каминскийa, Д. Хакеb, С. Н. Багаевc, К. Уедаd, Х. Гарсиа-Золеb, Х. Капманиb a Институт кристаллографии им. А. В. Шубникова РАН, г. Москва b Universidad Autonoma de Madrid, Spain c Институт лазерной физики СО РАН, г. Новосибирск d Institute for Laser Science, University of Electro-communications, Tokyo, Japan
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 1999, Volume 29, Issue 2, Pages DOI: https://doi.org/10.1070/QE1999v029n02ABEH001423 
Реферативные базы данных:
 Образец цитирования: А. А. Каминский, Д. Хаке, С. Н. Багаев, К. Уеда, Х. Гарсиа-Золе, Х. Капмани, “Новые нелинейно-лазерные свойства сегнетоэлектрика Ba2NaNb5O15:Nd3+: непрерывное стимулированное излучение (4F3/2 → 4I11/2 и 4F3/2 → 4I13/2), коллинеарное и диффузное самоумножение и самосуммирование частоты генерации”, Квантовая электроника, 26:2 (1999), |
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Обратная связь: |
Пользовательское соглашение
|
Регистрация посетителей портала |
Логотипы |
|