|
Квантовая электроника, 1999, том 26, номер 2, страницы 95–97
(Mi qe1423)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 23 научных статьях (всего в 23 статьях)
Письма в редакцию
Новые нелинейно-лазерные свойства сегнетоэлектрика Ba2NaNb5O15:Nd3+: непрерывное стимулированное излучение (4F3/2 → 4I11/2 и 4F3/2 → 4I13/2), коллинеарное и диффузное самоумножение и самосуммирование частоты генерации
А. А. Каминскийa, Д. Хакеb, С. Н. Багаевc, К. Уедаd, Х. Гарсиа-Золеb, Х. Капманиb a Институт кристаллографии им. А. В. Шубникова РАН, г. Москва
b Universidad Autonoma de Madrid, Spain
c Институт лазерной физики СО РАН, г. Новосибирск
d Institute for Laser Science, University of Electro-communications, Tokyo, Japan
Аннотация:
Создан новый непрерывный лазер с самоумножением и с самосуммированием частоты одномикронной генерации (4F3/2 → 4I11/2) на основе ромбического кристалла Ba2NaNb5O15:Nd3+. Возбуждено непрерывное 1.3-микронное стимулированное излучение этого сегнетоэлектрика на межштарковском переходе канала 4F3/2 → 4I13/2.
Поступила в редакцию: 29.12.1998
Образец цитирования:
А. А. Каминский, Д. Хаке, С. Н. Багаев, К. Уеда, Х. Гарсиа-Золе, Х. Капмани, “Новые нелинейно-лазерные свойства сегнетоэлектрика Ba2NaNb5O15:Nd3+: непрерывное стимулированное излучение (4F3/2 → 4I11/2 и 4F3/2 → 4I13/2), коллинеарное и диффузное самоумножение и самосуммирование частоты генерации”, Квантовая электроника, 26:2 (1999), 95–97 [Quantum Electron., 29:2 (1999), 95–97]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe1423 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v26/i2/p95
|
|