Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2011, том 41, номер 3, страницы 198–201 (Mi qe14227)  

Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

Лазеры и лазерные среды

О механизме заселения 3p-уровней неона при накачке жестким ионизатором

М. У. Хасенов

ТОО "Фотоника", г. Алма-Ата
Список литературы:
Аннотация: Исследовано влияние тушащих добавок на люминесцентные свойства смесей гелия и неона при накачке α-частицами, испускаемыми атомами 210Po. Сделан вывод о том, что заселение уровня неона 3p'[1/2]0 при возбуждении тяжелой заряженной частицей происходит не в процессе диссоциативной рекомбинации молекулярных ионов. Предполагается, что наиболее вероятным каналом заселения уровня 3p являются передача возбуждения атомам неона от метастабильных атомов гелия и прямое возбуждение неона ядерными частицами и вторичными электронами.
Поступила в редакцию: 19.10.2009
Исправленный вариант: 06.12.2010
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2011, Volume 41, Issue 3, Pages 198–201
DOI: https://doi.org/10.1070/QE2011v041n03ABEH014227
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 32.50.+d, 32.80.-t, 23.60.+e


Образец цитирования: М. У. Хасенов, “О механизме заселения 3p-уровней неона при накачке жестким ионизатором”, Квантовая электроника, 41:3 (2011), 198–201 [Quantum Electron., 41:3 (2011), 198–201]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe14227
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v41/i3/p198
  • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:153
    PDF полного текста:76
    Список литературы:22
    Первая страница:1
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024