|
Квантовая электроника, 2011, том 41, номер 3, страницы 198–201
(Mi qe14227)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)
Лазеры и лазерные среды
О механизме заселения 3p-уровней неона при накачке жестким ионизатором
М. У. Хасенов ТОО "Фотоника", г. Алма-Ата
Аннотация:
Исследовано влияние тушащих добавок на люминесцентные свойства смесей гелия и неона при накачке α-частицами, испускаемыми атомами 210Po. Сделан вывод о том, что заселение уровня неона 3p'[1/2]0 при возбуждении тяжелой заряженной частицей происходит не в процессе диссоциативной рекомбинации молекулярных ионов. Предполагается, что наиболее вероятным каналом заселения уровня 3p являются передача возбуждения атомам неона от метастабильных атомов гелия и прямое возбуждение неона ядерными частицами и вторичными электронами.
Поступила в редакцию: 19.10.2009 Исправленный вариант: 06.12.2010
Образец цитирования:
М. У. Хасенов, “О механизме заселения 3p-уровней неона при накачке жестким ионизатором”, Квантовая электроника, 41:3 (2011), 198–201 [Quantum Electron., 41:3 (2011), 198–201]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe14227 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v41/i3/p198
|
|