Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2010, том 40, номер 1, страницы 35–39 (Mi qe14184)  

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Активные среды

Особенности тепловых режимов лазерных активных элементов в форме прямоугольной пластины при стационарной накачке

А. Н. Алпатьев, В. А. Смирнов, И. А. Щербаков

Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, г. Москва
Список литературы:
Аннотация: Продолжено исследование совокупности явлений, связанных со сглаживанием температурного профиля в активном элементе в форме прямоугольной пластины и возрастанием порога ее разрушения под действием оптической накачки при изменении ее оптической плотности (эффект сглаживания термооптических неоднородностей — СТОН-эффект). Показано, что СТОН-эффект существует не только при увеличении, но и при уменьшении оптической плотности, если оно происходит за счет уменьшения толщины образца. Приведена расчетная зависимость максимального перепада температур внутри пластины от оптической плотности в момент термического разрушения пластины. Показано, что изменение оптической плотности вследствие изменения как коэффициента поглощения, так и геометрического размера пластины по-разному влияет на очередность наступления одного из двух нежелательных событий — разрушения пластины или закипания охлаждающей воды — по мере увеличения накачки. Рассчитанные соотношения образуют две зоны оптической плотности, различающиеся очередностью наступления этих событий. Оценены допустимые значения максимальных температур в каждой из зон.
Поступила в редакцию: 03.07.2009
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2010, Volume 40, Issue 1, Pages 35–39
DOI: https://doi.org/10.1070/QE2010v040n01ABEH014184
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 42.55.Rz, 42.70.Hj


Образец цитирования: А. Н. Алпатьев, В. А. Смирнов, И. А. Щербаков, “Особенности тепловых режимов лазерных активных элементов в форме прямоугольной пластины при стационарной накачке”, Квантовая электроника, 40:1 (2010), 35–39 [Quantum Electron., 40:1 (2010), 35–39]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe14184
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v40/i1/p35
  • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:254
    PDF полного текста:94
    Список литературы:61
    Первая страница:1
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024