|
Квантовая электроника, 2009, том 39, номер 11, страницы 1018–1022
(Mi qe14151)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 12 научных статьях (всего в 12 статьях)
Лазеры
Высокочастотный Yb-микролазер с диодной накачкой и пассивной модуляцией добротности
В. Э. Кисель, А. С. Ясюкевич, Н. В. Кондратюк, Н. В. Кулешов НИИ оптических материалов и технологий, Белорусский национальный технический университет
Аннотация:
Предложена модификация системы балансных уравнений для квазитрехуровневых лазеров, работающих в режиме пассивной модуляции добротности с медленным насыщающимся поглотителем. Проведены расчеты оптимальных параметров микрочип-лазера на YAG:Yb3+ с пассивным Cr4+:YAG-модулятором при частоте следования импульсов ~100 кГц. Экспериментально продемонстрирована генерация в микрочип-лазере на YAG:Yb — YAG:Cr на одной продольной моде резонатора с частотой следования импульсов более 100 кГц, средней выходной мощностью 0.45 Вт и пиковой мощностью 1.5 кВт. В многомодовом режиме генерации получены импульсы с пиковой мощностью 4.2 кВт при средней выходной мощности 0.8 Вт и частоте следования импульсов 100 кГц.
Поступила в редакцию: 12.05.2009
Образец цитирования:
В. Э. Кисель, А. С. Ясюкевич, Н. В. Кондратюк, Н. В. Кулешов, “Высокочастотный Yb-микролазер с диодной накачкой и пассивной модуляцией добротности”, Квантовая электроника, 39:11 (2009), 1018–1022 [Quantum Electron., 39:11 (2009), 1018–1022]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe14151 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v39/i11/p1018
|
|