Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2010, том 40, номер 1, страницы 11–18 (Mi qe14140)  

Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)

Лазеры

Лазерные характеристики смесей Ar — Xe и He — Ar — Xe при накачке осколками деления

Ю. А. Дюжовa, О. Ф. Кухарчукa, Е. Д. Полетаевa, В. Н. Смольскийa, А. А. Суворовa, О. Г. Фокина

a Физико-энергетический институт им. А. И. Лейпунского, г. Обнинск Калужской обл.
Список литературы:
Аннотация: Приведены результаты исследований лазерных характеристик смесей Ar — Xe и Не — Ar — Xe на переходах атома Xe с длинами волн 1.73 и 2.026 мкм при накачке осколками деления, выполненных на импульсном реакторе БАРС-6. Описаны экспериментальная установка и методики измерения параметров лазерного пучка и характеристик активной среды лазера с ядерной накачкой в режимах свободной генерации и задающий генератор — усилитель. В режиме свободной генерации исследована зависимость выходной энергии лазерного импульса от параметров резонатора, состава и давления рабочей смеси. Для получения лазерных характеристик активных смесей предложен метод модуляции входного сигнала однопроходного усилителя. Из анализа результатов экспериментов в режиме усилитель — генератор в рамках разработанной теории распространения лазерного излучения получены основные лазерные характеристики смесей Ar — Xe и Не — Ar — Xe (ненасыщенный коэффициент усиления, интенсивность насыщения, эффективность преобразования и др.) и проведено их сравнение с данными других работ.
Поступила в редакцию: 13.04.2009
Исправленный вариант: 21.08.2009
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2010, Volume 40, Issue 1, Pages 11–18
DOI: https://doi.org/10.1070/QE2010v040n01ABEH014140
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 42.55.Lt, 42.60.Lh, 28.41.-i


Образец цитирования: Ю. А. Дюжов, О. Ф. Кухарчук, Е. Д. Полетаев, В. Н. Смольский, А. А. Суворов, О. Г. Фокина, “Лазерные характеристики смесей Ar — Xe и He — Ar — Xe при накачке осколками деления”, Квантовая электроника, 40:1 (2010), 11–18 [Quantum Electron., 40:1 (2010), 11–18]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe14140
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v40/i1/p11
  • Эта публикация цитируется в следующих 5 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:232
    PDF полного текста:122
    Список литературы:44
    Первая страница:1
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024