Самоорганизация островков размером менее 20 нм на эпитаксиальных плёнках GaAs/InGaAs/GaAs, стимулированная пространственно-периодическим лазерным излучением

При воздействии на поверхность эпитаксиальной плёнки GaAs/InGaAs/GaAs четырёх интерферирующих пучков обнаружен эффект лазерного стимулирования самоорганизации наноразмерных островков, расположенных двумерно-периодически. (Под самоорганизацией здесь понимаются процессы, определяющие размеры отдельных островков.) Распределение островков по диаметру имеет два ярко выраженных максимума. Островки малого диаметра (~5 нм) образовывались внутри отдельной области нагрева, а большего диаметра (~15 нм) — по периметру этой области. Поперечные размеры островков в 20 — 60 раз меньше периода стоячей волны интерферирующего излучения, что можно объяснить влиянием упругих напряжений на поверхности эпитаксиальной плёнки.