|
Квантовая электроника, 2009, том 39, номер 11, страницы 1033–1040
(Mi qe14107)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)
Активные среды
Тепловые режимы и предельные интенсивности накачки дискового лазера при одномерном распределении температуры внутри диска
А. Н. Алпатьев, В. А. Смирнов, И. А. Щербаков Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, г. Москва
Аннотация:
Получены аналитические выражения для одномерного распределения температуры и термоупругих напряжений в дисковом активном элементе (АЭ) при стационарной многопроходной накачке, интенсивность которой равна или превышает пороговую. Рассмотрены три события, связанные с нагреванием АЭ, каждое из которых выводит лазер из строя: падение эффективности вследствие изменения спектрально-люминесцентных свойств активных сред, нарушение нормального режима охлаждения АЭ, разрушение АЭ из-за роста термомеханических напряжений. Определены области параметров (таких как коэффициент поглощения АЭ, его толщина и т.д.), при которых по мере увеличения интенсивности накачки и соответственно температуры АЭ первым наступает одно из указанных выше событий. Получены формулы, позволяющие для каждого набора параметров дать оценку соответствующих предельных интенсивностей накачки.
Поступила в редакцию: 17.03.2009 Исправленный вариант: 02.07.2009
Образец цитирования:
А. Н. Алпатьев, В. А. Смирнов, И. А. Щербаков, “Тепловые режимы и предельные интенсивности накачки дискового лазера при одномерном распределении температуры внутри диска”, Квантовая электроника, 39:11 (2009), 1033–1040 [Quantum Electron., 39:11 (2009), 1033–1040]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe14107 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v39/i11/p1033
|
|