Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2009, том 39, номер 9, страницы 825–829 (Mi qe14069)  

Активные среды

Моделирование рентгеновского лазера в переходном режиме при насыщении усиления

Ф. А. Стариков, В. А. Волков, П. Д. Гаспарян, В. И. Рослов

Российский федеральный ядерный центр — ВНИИЭФ, г. Саров
Аннотация: С использованием программы TRANS выполнены трехмерные расчеты усиленного спонтанного излучения (УСИ) в рентгеновских лазерах на 3p — 3s-переходе Ne-подобных ионов Ge (λ = 19.6 нм) и Ti (λ = 32.6 нм), работающих в переходном режиме при облучении плоской мишени сфокусированным в линию излучением мощного пикосекундного лазера с одним или двумя наносекундными предымпульсами. Для расчета гидродинамики и кинетики населенностей активной среды рентгеновских лазеров применяется программа СС-9М. Полученные в расчетах длительность импульса, коэффициент усиления, пространственная структура пучка, характер влияния "бегущей волны" накачки на яркость УСИ согласуются с наблюдаемыми в экспериментах. Использование "бегущей волны" накачки приводит не только к росту яркости УСИ, но и к существенному уменьшению его угловой расходимости.
Поступила в редакцию: 11.02.2009
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2009, Volume 39, Issue 9, Pages 825–829
DOI: https://doi.org/10.1070/QE2009v039n09ABEH014069
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 42.55.Vc, 52.50.Jm


Образец цитирования: Ф. А. Стариков, В. А. Волков, П. Д. Гаспарян, В. И. Рослов, “Моделирование рентгеновского лазера в переходном режиме при насыщении усиления”, Квантовая электроника, 39:9 (2009), 825–829 [Quantum Electron., 39:9 (2009), 825–829]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe14069
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v39/i9/p825
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:144
    PDF полного текста:82
    Первая страница:1
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024