| Квантовая электроника |
|
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях) Активные среды Исследование кинетики заселения лазерных уровней иона неодима в POCl3 — SnCl4 — 235UO22+ — Nd3+ при накачке осколками деления Е. А. Серегина, А. Ф. Добровольский, Д. В. Кабаков, А. А. Серёгин, Г. В. Тихонов ГНЦ РФ — Физико-энергетический институт им. А. И. Лейпунского, г. Обнинск, Калужская обл.
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2009, Volume 39, Issue 8, Pages DOI: https://doi.org/10.1070/QE2009v039n08ABEH014037 
Реферативные базы данных:
    Образец цитирования: Е. А. Серегина, А. Ф. Добровольский, Д. В. Кабаков, А. А. Серёгин, Г. В. Тихонов, “Исследование кинетики заселения лазерных уровней иона неодима в POCl3 — SnCl4 — 235UO22+ — Nd3+ при накачке осколками деления”, Квантовая электроника, 39:8 (2009), |
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Обратная связь: |
Пользовательское соглашение
|
Регистрация посетителей портала |
Логотипы |
|