Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2009, том 39, номер 11, страницы 1086–1094 (Mi qe14029)  

Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)

Применения лазеров и другие вопросы квантовой электроники

Высокодобротные поляритонные моды в гетероструктурах с ловушками для диполярных экситонов

П. А. Калининa, В. В. Кочаровскийab, Вл. В. Кочаровскийa

a Институт прикладной физики РАН, г. Нижний Новгород
b Physics Department, Texas A&M University, College Station, USA
Аннотация: Исследованы поляритонные моды в двумерных ловушках на основе гетероструктур с квантовыми ямами, позволяющих получать бозе-эйнштейновский конденсат непрямых экситонов. Характеристическое уравнение для мод выведено с использованием граничных условий на экситонном слое, расположенном внутри резонатора, образованного такой ловушкой. Аналитически и численно найдены спектр и структура высокодобротных мод. Показано, что некоторые из них становятся неустойчивыми при больших плотности экситонов и времени релаксации их поляризации. Согласно оценкам, эта неустойчивость может реализовываться в экспериментах по бозе-конденсации диполярных экситонов, объясняя тем самым происхождение их когерентного излучения.
Поступила в редакцию: 22.12.2008
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2009, Volume 39, Issue 11, Pages 1086–1094
DOI: https://doi.org/10.1070/QE2009v039n11ABEH014029
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 71.35.Lk, 71.36.+c, 03.75.Lm


Образец цитирования: П. А. Калинин, В. В. Кочаровский, Вл. В. Кочаровский, “Высокодобротные поляритонные моды в гетероструктурах с ловушками для диполярных экситонов”, Квантовая электроника, 39:11 (2009), 1086–1094 [Quantum Electron., 39:11 (2009), 1086–1094]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe14029
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v39/i11/p1086
  • Эта публикация цитируется в следующих 6 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:200
    PDF полного текста:86
    Первая страница:1
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024