|
Квантовая электроника, 1999, том 26, номер 1, страницы 6–8
(Mi qe1401)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 13 научных статьях (всего в 13 статьях)
Письма в редакцию
Первое наблюдение генерации стимулированного излучения и ВКР в кубических ацентрических кристаллах Bi12SiO20:Nd3+
А. А. Каминскийa, С. Н. Багаевb, Х. Гарсиа-Золеc, Г. Й. Эйхлерd, Й. Фернандесe, Д. Хакеc, Ю. Финдайзенd, Р. Бальдаe, Ф. Агулло-Руэдаf a Институт кристаллографии им. А. В. Шубникова РАН, г. Москва
b Институт лазерной физики СО РАН, г. Новосибирск
c Universidad Autonoma de Madrid, Spain
d Optical Institute,Technical University of Berlin, Germany
e Basque Country University, Bilbao, Spain
f Institute of Materials Science of Madrid, Cantoblanca, Spain
Аннотация:
Впервые получены лазерная генерация (канал 4F3/2 – 4I11/2) и ВКР в монокристалле Bi12SiO20:Nd3+ при комнатной температуре. Все наблюдавшиеся линии вынужденного излучения, а также стоксовы и антистоксовы линии генерации были идентифицированы.
Поступила в редакцию: 05.11.1998
Образец цитирования:
А. А. Каминский, С. Н. Багаев, Х. Гарсиа-Золе, Г. Й. Эйхлер, Й. Фернандес, Д. Хаке, Ю. Финдайзен, Р. Бальда, Ф. Агулло-Руэда, “Первое наблюдение генерации стимулированного излучения и ВКР в кубических ацентрических кристаллах Bi12SiO20:Nd3+”, Квантовая электроника, 26:1 (1999), 6–8 [Quantum Electron., 29:1 (1999), 6–8]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe1401 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v26/i1/p6
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 221 | PDF полного текста: | 91 | Первая страница: | 2 |
|