Двухсекционные широкополосные суперлюминесцентные диоды

Экспериментально исследованы суперлюминесцентные диоды (СЛД) с двумя электрически изолированными участками инжекции на основе однослойной квантоворазмерной гетероструктуры (ОКРС) в системе GaAlAs/GaAs с центральной длиной волны излучения около 825 нм. Показано, что при различных комбинациях токов, инжектируемых в секции, СЛД такого типа позволяют получить любую непрерывную выходную мощность от единиц до почти сотни милливатт при неизменной (~70 нм) ширине спектра излучения.