|
Квантовая электроника, 2009, том 39, номер 5, страницы 415–416
(Mi qe13991)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Лазеры и усилители
Двухмикронная лазерная генерация в режиме модулированной добротности на кристалле YАlO3:Tm3+
С. Н. Ушаковa, М. Н. Хромовa, А. В. Шестаковb a Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, г. Москва
b ООО «НПЦ "ЭЛС-94"», г. Москва
Аннотация:
Представлены параметры лазера на кристалле YАlO:Tm3+ с продольной диодной накачкой, работающего в режиме модулированной добротности. Частота повторения импульсов f = 1—15 кГц. Максимальная средняя мощность генерации составляет 5 Вт (при f = 5—15 кГц), минимальная длительность импульса 130 нс (f = 1 кГц), эффективность 26% (дифференциальная эффективность 58%). Для спектральной области накачки 803—805 нм длина волны генерации была равна 1.99 мкм.
Поступила в редакцию: 22.10.2008
Образец цитирования:
С. Н. Ушаков, М. Н. Хромов, А. В. Шестаков, “Двухмикронная лазерная генерация в режиме модулированной добротности на кристалле YАlO3:Tm3+”, Квантовая электроника, 39:5 (2009), 415–416 [Quantum Electron., 39:5 (2009), 415–416]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe13991 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v39/i5/p415
|
|