Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2009, том 39, номер 2, страницы 163–170 (Mi qe13926)  

Нелинейно-оптические явления

Влияние эффектов фазовой памяти при столкновениях на спектр резонансного комбинационного рассеяния

А. И. Пархоменко, А. М. Шалагин

Институт автоматики и электрометрии СО РАН, г. Новосибирск
Аннотация: Теоретически исследовано влияние эффектов фазовой памяти при столкновениях на спектр резонансного комбинационного рассеяния излучения трехуровневыми атомами с Λ-конфигурацией уровней, находящимися в поле сильного монохроматического излучения и испытывающими столкновения с атомами буферного газа. Анализ проведен для систем с малым по сравнению с частотой столкновений доплеровским уширением (большие давления буферного газа) в общем случае произвольного изменения (от полного сбоя до полного сохранения) фазовой памяти на любом из трех переходов в Λ-системе. Показано, что в отсутствие столкновительной релаксации низкочастотной когерентности на переходе между двумя нижними уровнями Λ-системы в спектре рассеянного излучения имеется спектрально узкая компонента на комбинационной частоте, которая, несмотря на однородный характер уширения линии поглощения, обладает ярко выраженной анизотропией. В направлении, близком к направлению распространения возбуждающего излучения, эта линия максимально сужается. Характерно, что в условиях оптической накачки на уровень, не затронутый сильным полем, спектр резонансного комбинационного рассеяния существенно отличается от спектра для работы пробного поля. Предложена простая формула для расчета степени сохранения фазовой памяти при столкновениях по относительной амплитуде резонанса комбинационного рассеяния.
Поступила в редакцию: 10.06.2008
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2009, Volume 39, Issue 2, Pages 163–170
DOI: https://doi.org/10.1070/QE2009v039n02ABEH013926
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 42.65.Dr, 42.50.Md


Образец цитирования: А. И. Пархоменко, А. М. Шалагин, “Влияние эффектов фазовой памяти при столкновениях на спектр резонансного комбинационного рассеяния”, Квантовая электроника, 39:2 (2009), 163–170 [Quantum Electron., 39:2 (2009), 163–170]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe13926
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v39/i2/p163
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:204
    PDF полного текста:71
    Первая страница:1
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024