Кинетика заселения и релаксации уровня 5d[3/2]1 при возбуждении чистого ксенона импульсным электронным пучком

Измерена зависимость выхода спонтанного излучения от времени на переходах чистого ксенона 5d[3/2]₁→6p[3/2]₁ и 5d[3/2]₁→6p[5/2]₂ с длинами волн 2.03 и 1.73 мкм соответственно в диапазоне давлений 0.1 — 100 Тор при возбуждении импульсным электронным пучком наносекундной длительности. Показано, что основными механизмами заселения и релаксации уровня 5d[3/2]₁ в этих условиях являются возбуждение и тушение его электронами рекомбинирующей плазмы. Плазмохимических процессов, ведущих к заселению этого уровня, в частности канала с образованием молекулярного иона Хе₂⁺, не обнаружено. Время жизни состояния 5d[3/2]₁ атома Хе в диапазоне давлений 0.5 — 5 Тор составляет около 1 нс.