| Квантовая электроника |
|
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье) Лазерные технологии Технологии перфорации близкорасположенных микронных отверстий с использованием неодимовых LiF:F2--лазеров Т. Т. Басиевa, А. Я. Карасикa, В. В. Осикоb, А. Г. Папашвилиa, Д. С. Чунаевa, А. В. Гавриловc, М. Н. Ершковc, С. Н. Сметанинc, С. А. Солохинc, А. В. Фединc, В. Н. Колокольцевd, В. М. Лазоренкоd, В. И. Товтинd a Научный центр лазерных материалов и технологий, Институт общей физики им. А. М. Прохорова РАН, г. Москва b Институт общей физики им. А. М. Прохорова РАН, г. Москва c Ковровская государственная технологическая академия d Институт металлургии и материаловедения им. А. А. Байкова РАН, г. Москва
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2009, Volume 39, Issue 4, Pages DOI: https://doi.org/10.1070/QE2009v039n04ABEH013909 
Реферативные базы данных:
    Образец цитирования: Т. Т. Басиев, А. Я. Карасик, В. В. Осико, А. Г. Папашвили, Д. С. Чунаев, А. В. Гаврилов, М. Н. Ершков, С. Н. Сметанин, С. А. Солохин, А. В. Федин, В. Н. Колокольцев, В. М. Лазоренко, В. И. Товтин, “Технологии перфорации близкорасположенных микронных отверстий с использованием неодимовых LiF:F2--лазеров”, Квантовая электроника, 39:4 (2009), |
|
|
Обратная связь: |
Пользовательское соглашение
|
Регистрация посетителей портала |
Логотипы |
|