|
Квантовая электроника, 2008, том 38, номер 10, страницы 923–926
(Mi qe13854)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Лазеры
Импульсная генерация лазера на кристалле кальций-галлий-германиевого граната Ca3Ga2Ge3O12:Nd3+ с диодной накачкой при пассивной модуляции добротности резонатора
М. И. Беловоловa, С. И. Державинb, А. Ф. Шаталовa a Научный центр волоконной оптики РАН, г. Москва
b Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, г. Москва
Аннотация:
Исследована импульсная генерация твердотельного неодимового лазера на кристалле кальций-галлий-германиевого граната Ca3Ga2Ge3O12:Nd3+ (CGGG:Nd) с диодной накачкой при пассивной модуляции добротности резонатора. При поглощенной мощности накачки 0.8 Вт энергия импульса генерации равнялась 3.5 мкДж, а его временные параметры — время нарастания, длительность и время спада — составляли соответственно 6, 11 и 13 нс. Частота следования импульсов изменялась в интервале 3 — 13 кГц при изменении поглощенной мощности накачки от 0.45 до 1 Вт. Показано, что с увеличением поглощенной мощности накачки все временные параметры генерируемого импульса уменьшаются. Измерены коэффициенты чувствительности этих параметров и частоты следования импульсов генерации к изменениям поглощенной мощности накачки и длины резонатора лазера. Проведено сравнение результатов исследования с соответствующими результатами для импульсного YAG:Nd-лазера, работающего в аналогичных условиях.
Поступила в редакцию: 25.03.2008
Образец цитирования:
М. И. Беловолов, С. И. Державин, А. Ф. Шаталов, “Импульсная генерация лазера на кристалле кальций-галлий-германиевого граната Ca3Ga2Ge3O12:Nd3+ с диодной накачкой при пассивной модуляции добротности резонатора”, Квантовая электроника, 38:10 (2008), 923–926 [Quantum Electron., 38:10 (2008), 923–926]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe13854 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v38/i10/p923
|
|