|
Квантовая электроника, 1998, том 25, номер 12, страницы 1059–1061
(Mi qe1383)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)
Письма в редакцию
Сегнетоэлектрик SxBa1–x(NbO3)2:Nd3+ — новый нелинейно-лазерный кристалл: непрерывное одномикронное стимулированное излучение (4F3/2 → 4I11/2) и диффузное самоумножение частоты генерации
А. А. Каминскийa, Х. Гарсиа-Золеb, С. Н. Багаевc, Д. Хакеb, Х. Капманиb a Институт кристаллографии им. А. В. Шубникова РАН, г. Москва
b Autonomous University of Madrid, Spain
c Институт лазерной физики СО РАН, г. Новосибирск
Аннотация:
Впервые возбуждена генерация стимулированного излучения на межштарковском переходе одномикронного канала 4F3/2 → 4I11/2 ионов Nd3+ в ацентричном разупорядоченном кристалле SrxBa1–x(NbO3)2 (x ≈ 0.6). Его низкопороговое лазерное излучение с длиной волны 1.0626 мкм сопровождалось диффузной внутрирезонаторной генерацией второй гармоники.
Поступила в редакцию: 05.11.1998
Образец цитирования:
А. А. Каминский, Х. Гарсиа-Золе, С. Н. Багаев, Д. Хаке, Х. Капмани, “Сегнетоэлектрик SxBa1–x(NbO3)2:Nd3+ — новый нелинейно-лазерный кристалл: непрерывное одномикронное стимулированное излучение (4F3/2 → 4I11/2) и диффузное самоумножение частоты генерации”, Квантовая электроника, 25:12 (1998), 1059–1061 [Quantum Electron., 28:12 (1998), 1031–1033]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe1383 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v25/i12/p1059
|
|