Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2008, том 38, номер 10, страницы 940–944 (Mi qe13777)  

Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Воздействие лазерного излучения на вещество

Влияние вынужденного излучения на распределение молекул СО по колебательным уровням

Г. М. Григорьянa, И. В. Кочетовb

a Научно-исследовательский институт физики им. В. А. Фока Санкт-Петербургского государственного университета
b ФГУП «ГНЦ РФ — Троицкий институт инновационных и термоядерных исследований»
Аннотация: Измерена колебательная функция распределения (КФР) молекул СО при наличии и в отсутствие генерации в СО-лазере, возбуждаемом продольным разрядом постоянного тока. В теоретической модели совместно решались кинетические уравнения для КФР и уравнение Больцмана для функции распределения электронов по энергиям. Сопоставление экспериментальных и расчетных спектров генерации и КФР продемонстрировало их хорошее согласие. Путем введения в резонатор поглощающей ячейки с различными газами (NO, C2H4, СО2, С6H6) исследовано влияние селекции линий генерации на спектр генерации и КФР молекул СО. Экспериментально подтверждено сильное уменьшение населенностей молекул СО на колебательных уровнях, вовлеченных в генерацию, и на более высоких, а также незначительное изменение КФР на более низких уровнях. Показана возможность изменения формы КФР молекул СО в области высоких колебательных уровней путем введения внутрирезонаторного поглощения.
Поступила в редакцию: 04.12.2007
Исправленный вариант: 02.04.2008
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2008, Volume 38, Issue 10, Pages 940–944
DOI: https://doi.org/10.1070/QE2008v038n10ABEH013777
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 42.55.Lt, 33.20.Tp, 33.80.-b


Образец цитирования: Г. М. Григорьян, И. В. Кочетов, “Влияние вынужденного излучения на распределение молекул СО по колебательным уровням”, Квантовая электроника, 38:10 (2008), 940–944 [Quantum Electron., 38:10 (2008), 940–944]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe13777
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v38/i10/p940
  • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024