|
Квантовая электроника, 2008, том 38, номер 10, страницы 940–944
(Mi qe13777)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)
Воздействие лазерного излучения на вещество
Влияние вынужденного излучения на распределение молекул СО по колебательным уровням
Г. М. Григорьянa, И. В. Кочетовb a Научно-исследовательский институт физики им. В. А. Фока Санкт-Петербургского государственного университета
b ФГУП «ГНЦ РФ — Троицкий институт инновационных и термоядерных исследований»
Аннотация:
Измерена колебательная функция распределения (КФР) молекул СО при наличии и в отсутствие генерации в СО-лазере, возбуждаемом продольным разрядом постоянного тока. В теоретической модели совместно решались кинетические уравнения для КФР и уравнение Больцмана для функции распределения электронов по энергиям. Сопоставление экспериментальных и расчетных спектров генерации и КФР продемонстрировало их хорошее согласие. Путем введения в резонатор поглощающей ячейки с различными газами (NO, C2H4, СО2, С6H6) исследовано влияние селекции линий генерации на спектр генерации и КФР молекул СО. Экспериментально подтверждено сильное уменьшение населенностей молекул СО на колебательных уровнях, вовлеченных в генерацию, и на более высоких, а также незначительное изменение КФР на более низких уровнях. Показана возможность изменения формы КФР молекул СО в области высоких колебательных уровней путем введения внутрирезонаторного поглощения.
Поступила в редакцию: 04.12.2007 Исправленный вариант: 02.04.2008
Образец цитирования:
Г. М. Григорьян, И. В. Кочетов, “Влияние вынужденного излучения на распределение молекул СО по колебательным уровням”, Квантовая электроника, 38:10 (2008), 940–944 [Quantum Electron., 38:10 (2008), 940–944]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe13777 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v38/i10/p940
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 147 | PDF полного текста: | 70 | Первая страница: | 1 |
|