Зажигание и распространение уединенной волны образования точечных дефектов при интенсивной лазерной генерации электрон-дырочных пар в полупроводниках и диэлектриках

Аналогично модели волны горения развита модель уединенной волны генерации дефектов (ВГД), зажигающейся и распространяющейся в полупроводниках и диэлектриках при интенсивной лазерной генерации электрон-дырочных пар. Аналитически определены характеристики ВГД: критическая интенсивность зажигания ВГД, форма, скорость распространения и концентрация точечных дефектов, создаваемая ВГД. На основе полученных результатов проведена количественная интерпретация экспериментов по пикосекундному многоимпульсному повреждению поверхности Si.