|
Квантовая электроника, 2007, том 37, номер 10, страницы 971–973
(Mi qe13627)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)
Специальный выпуск, посвященный 25-летию Института общей физики им. А.М.Прохорова
Эффективность заселения уровня 4I13/2 иона Er3+ и возможность генерации излучения с длиной волны 1.5 мкм в ИАГ:Yb, Er при высоких температурах
Б. И. Галаган, Б. И. Денкер, В. В. Осико, С. Е. Сверчков Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, г. Москва
Аннотация:
Показано, что при повышении температуры кристалла ИАГ:Yb, Er от комнатной до 400 – 600°С в несколько раз возрастает эффективность накопления энергии на уровне 4I13/2 иона Er3+ при оптической накачке, идущей через ионы Yb3+. В этих условиях до 60% ионов эрбия могут быть переведены в возбужденное состояние, что позволяет надеяться на реализацию в ИАГ:Yb, Er лазерной генерации на длине волны 1.54 мкм по трехуровневой схеме.
Поступила в редакцию: 15.05.2007
Образец цитирования:
Б. И. Галаган, Б. И. Денкер, В. В. Осико, С. Е. Сверчков, “Эффективность заселения уровня 4I13/2 иона Er3+ и возможность генерации излучения с длиной волны 1.5 мкм в ИАГ:Yb, Er при высоких температурах”, Квантовая электроника, 37:10 (2007), 971–973 [Quantum Electron., 37:10 (2007), 971–973]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe13627 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v37/i10/p971
|
|