|
Квантовая электроника, 2008, том 38, номер 3, страницы 276–279
(Mi qe13620)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
Применения лазеров и другие вопросы квантовой электроники
Оптоэлектронное переключение в алмазе и оптический поверхностный пробой
Е. И. Липатов, В. Ф. Тарасенко Институт сильноточной электроники СО РАН, г. Томск
Аннотация:
Исследовано оптоэлектронное переключение в двух образцах природного алмаза типа 2-А при напряжениях до 1000 В и плотностях энергии до 0.6 Дж/см2 управляющего лазерного излучения с длиной волны 308 нм и длительностью 60 нс по полувысоте. Показано, что конструкция алмазного коммутатора влияет на эффективность переключения. Обнаружено, что при плотностях энергии свыше 0.2 Дж/см2 в случае полной засветки межэлектродной поверхности возникает поверхностный пробой, стимулированный УФ излучением, который шунтирует протекание тока через алмазный кристалл. Исключение засветки межэлектродной поверхности приводит к предотвращению поверхностного пробоя. Пороговые плотности энергии излучения, достаточные для возникновения поверхностного пробоя, определены при напряженностях электрического поля до 10 кВ/см.
Поступила в редакцию: 14.05.2007 Исправленный вариант: 11.07.2007
Образец цитирования:
Е. И. Липатов, В. Ф. Тарасенко, “Оптоэлектронное переключение в алмазе и оптический поверхностный пробой”, Квантовая электроника, 38:3 (2008), 276–279 [Quantum Electron., 38:3 (2008), 276–279]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe13620 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v38/i3/p276
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 159 | PDF полного текста: | 84 | Первая страница: | 1 |
|